主讲人简介：

牛晓滨，教授、博导、材料与能源学院副院长。加州大学洛杉矶分校材料科学博士，中国科学技术大学物理学硕士、学士。英国皇家化学会会士、国家青年人才、中国工程前沿杰出青年学者、四川省千人、四川省学术与技术带头人、成都市蓉漂计划专家，现任四川省普通本科高等学校教学指导委员会委员、四川省专家评议（审）委员会委员、电子科技大学学术委员会委员。主要工作为低维材料及其异质结构的可控生长、物性研究及其在能源转换与存储和光电信息器件等领域的应用。

主讲内容简介：

以石墨烯，六方氮化硼为代表的二维材料及其异质结构由于其独特的电子结构等新奇物理化学性质被认为是新一代电子器件材料的有利候选。为了能够实现新一代二维电子器件的量产，二维材料及其异质结构的生长手段需要满足大面积，高质量，低成本以及形貌和层数可调的要求。化学气相沉积法（CVD）是低成本生长大面积高质量二维材料的主要手段。然而，CVD方法中复杂的物理化学环境以及衬底的自限制效应为生长过程中二维材料的形貌和层数的精确调控带来了困难。为了实现二维材料及其异质结构的可控生长，加快新一代二维电子器件的产业化进程，以石墨烯、六方氮化硼为代表，主要研究了CVD方法中衬底形貌，生长气氛，外置催化剂对二维材料及其异质结构的形貌、层数、生长模式的调控关系。该工作加深了对二维材料及其异质结构生长机制的理解，扩展了生长形貌，层数，异质结堆叠的调控手段，促进了新型二维电子材料和器件的相关发展和实际应用。

时间：11月24日（星期四）上午10:00-10:50

地点：腾讯会议网络讲授

会议链接：https://meeting.tencent.com/dm/ojyqhryZgBJT  或会议号：801-156-902

主办单位：高等研究院