主讲人简介：何俊杰， 2017年9月于捷克布拉格查理大学(Charles University in Prague)自然科学学院获博士学位。研究工作主要集中在磁性材料与自旋电子学，光电能源存储与转换和拓扑绝缘体的理论计算与应用研究。已在Adv. Mater., Adv. Fun. Mater., npj Comput. Mater., Nanoscale和J. Mater. Chem. C等知名期刊发表SCI论文39篇，其中第一/通讯作者18篇；相关研究工已被Phys. Rev. Lett., Science等顶尖期刊引用560余次，H-index 14。自2019年3月起担任成都大学高等研究院特聘研究员。

主讲内容简介：巨磁电阻效应(2007 年诺贝尔物理学奖)的发现直接引发了关于磁存储和磁记录领域的革命, 并由此产生了围绕利用电子自旋自由度来存储、传输与转换信息的新兴学科-自旋电子学。与传统基于电荷的电子学相比，自旋电子学具有非易失性、数据处理更快、能耗更低、集成度更高等众多优点，在下一代信息技术中具有广阔的应用前景。然而，自旋电子学的发展也面临着诸多的挑战，包括完全自旋极化电流的产生和注入，自旋的长程

输运以及自旋方向的操控等。这些问题的解决大部分都可以通过计算模拟设计具有特定性质的自旋电子学材料得到解决，包括各种新型磁性材料等。本报告包括以下内容: （一）二维本征铁磁材料设计；（二）量子反常霍尔效应；（三）反铁磁自旋电子学材料设计。

时间：9月23日（星期一）15:25—16:10

地点：综合楼B340

主办单位：高等研究院